|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Mode | Discontinuous (Transition) |
| Current - Startup | 50µA |
| Напряжение питания | 11 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -25°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-470 5% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJITSU |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W |
|
168.00 | |||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJ |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJI |
|
|
||
| ECAP 100/450V 2235 105C HU4 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 450 В | HIT-AIC |
|
|
|||
| MBR10200CT | GALAXY |
|
|
|||||
| MBR10200CT | 7 560 | 14.91 | ||||||
| MBR10200CT | GALAXY ME |
|
|
|||||
| R1206-1 ОМ-5% |
|
|