L6561D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
L6561D (ST MICROELECTRONICS)	8	191.30
L6561D (4-7 НЕДЕЛЬ)	550	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики L6561D

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Mode	Discontinuous (Transition)
Current - Startup	50µA
Напряжение питания	11 V ~ 18 V
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA733 (2PA733P/KTA733P)
2SA733 (2PA733P/KTA733P)		МАЛАЙЗИЯ
2SK3502	N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJITSU
2SK3502	N-MOS 600V, 10A, 70W			168.00
2SK3502	N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJ
2SK3502	N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJI
FT232RL-REEL		FUTURE TECH DEVICES INTER
FT232RL-REEL		FTDI, Future Technology Devices International Ltd
FT232RL-REEL		FTDI	3 440	382.28
FT232RL-REEL		FUTURE TECH DEVICES INTER LTD	27 556
FT232RL-REEL			1 128	439.90
FT232RL-REEL		1
FT232RL-REEL		4-7 НЕДЕЛЬ	630
FT232RL-REEL		359
FT232RL-REEL		357
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	20	787.82
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...			491.08
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	КИТАЙ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INFINEON
MBR10200CT		GALAXY
MBR10200CT			7 560	16.34
MBR10200CT		GALAXY ME