L6561D
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Mode | Discontinuous (Transition) |
| Current - Startup | 50µA |
| Напряжение питания | 11 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -25°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт |
|
177.92 | ||
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJITSU |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W |
|
168.00 | |||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJ |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJI |
|
|
||
| 470МКФ 25 (10X13)105°C |
|
|
||||||
| MBR10200CT | GALAXY |
|
|
|||||
| MBR10200CT | 7 560 | 16.08 | ||||||
| MBR10200CT | GALAXY ME |
|
|
|||||
| STPS1150 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STPS1150 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STPS1150 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| STPS1150 |
|
|
