Версия для печати
Технические характеристики KBL10

Тип монтажа	Выводной
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Single Phase
Current - DC Forward (If)	4A
Voltage - Peak Reverse (Max)	1000V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус (размер)	KBL
Корпус	KBL

KBL005 Single-phase Bridge Rectifier Также в этом файле: KBL10 Производитель: Vishay //www.vishay.com KBL10 datasheet 28.11Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

Синонимы от поставщиков: KBL10 ; KBL-10 ; KBL 10 ; KBL — 10 ; KBL10 ; диод KBL10 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	7 154	2.27
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 644	21.63
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 046	10.19
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	9 168	7.84
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	DC COMPONENTS	2 695	52.37
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	MCC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	FAIR
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...			58.52
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	GALAXY
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	Fairchild Semiconductor
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	MIC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	КИТАЙ
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	FAIRCHILD
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	YJ	11 169	32.60
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	DIOTEC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	KINGTRONICS
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	GALAXY ME
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	LGE	4 440	17.75
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	HOTTECH	7 852	29.11
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	KLS
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	PANJIT
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	VISHAY
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	SEP	400	23.86
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	ST MICROELECTRONICS	5 706	33.54
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A		15 561	21.32
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	ST MICROELECTRONICS SEMI	25
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	STMicroelectronics
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	МАРОККО
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	КИТАЙ
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	4-7 НЕДЕЛЬ	517
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 235	31.28
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	868	36.13
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	7 265	37.80
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 378	37.80
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"