|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
4.92
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
5 564
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
7 154
|
2.27
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
18
|
16.23
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
11 644
|
21.63
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 046
|
10.19
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
9 168
|
7.84
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
DC COMPONENTS
|
2 695
|
52.37
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
|
|
58.52
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
MIC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
YJ
|
11 169
|
32.60
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
LGE
|
4 440
|
17.75
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
HOTTECH
|
7 852
|
29.11
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
SEP
|
400
|
23.86
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 706
|
33.54
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
|
15 561
|
21.32
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
25
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
517
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
1 235
|
31.28
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
868
|
36.13
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
7 265
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
3 378
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|