Версия для печати
Технические характеристики KBL10

Тип монтажа	Выводной
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Single Phase
Current - DC Forward (If)	4A
Voltage - Peak Reverse (Max)	1000V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус (размер)	KBL
Корпус	KBL

KBL005 Single-phase Bridge Rectifier Также в этом файле: KBL10 Производитель: Vishay //www.vishay.com KBL10 datasheet 28.11Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

Синонимы от поставщиков: KBL10 ; KBL-10 ; KBL 10 ; KBL — 10 ; KBL10 ; диод KBL10 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	278 558	1.82  >100 шт.   0.91
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	TOP DIODE	81 600	1.05
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		3 400	12.92
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	105	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	681	10.11
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 532	5.93
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.00
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAI/QTC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIR
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	NXP
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA			14.92
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	Fairchild Semiconductor
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	ЯПОНИЯ
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC1
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	DC COMPONENTS	7 129	67.71
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	MCC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	FAIR
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...			58.52
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	GALAXY
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	Fairchild Semiconductor
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	MIC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	КИТАЙ
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	FAIRCHILD
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	YJ	1 709	23.90
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	DIOTEC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	KINGTRONICS
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	GALAXY ME
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	LGE	642	39.26
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	HOTTECH	1 601	24.60
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	KLS
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	PANJIT
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	VISHAY
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	SEP	400	19.83
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	GENERAL	25	42.00
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	YANGZHOU YANGJIE
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	ST MICROELECTRONICS
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A		12 210	20.34
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	ST MICROELECTRONICS SEMI	25
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	STMicroelectronics
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	МАРОККО
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	КИТАЙ
		L7812ABV		Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A	4-7 НЕДЕЛЬ	517

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"