![]() |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK793 N-MOS 850V. 5A. 150W. P |
![]() |
![]() |
||||||
2SK793 N-MOS 850V. 5A. 150W. P | TOSHIBA |
![]() |
![]() |
|||||
HA13456A | FAIR |
![]() |
![]() |
|||||
HA13456A | HITACHI SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
HA13456A | HITACHI |
![]() |
![]() |
|||||
HA13456A | 1 | 444.00 | ||||||
HA13456A | HIT |
![]() |
![]() |
|||||
HA13456A | HITACHI SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
HA13456A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 724 |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
IRG4PC40UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 47 | 653.40 | |
![]() |
![]() |
IRG4PC40UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... |
![]() |
491.08 | ||
![]() |
![]() |
IRG4PC40UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC40UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
ON4959 | 4 | 290.45 | |||||
![]() |
ON4959 | 1 |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
![]() |
PC111 |
![]() |
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V | SHARP |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
PC111 |
![]() |
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V | 18 | 89.46 | ||
![]() |
![]() |
PC111 |
![]() |
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V | 1 |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
PC111 |
![]() |
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V | 4-7 НЕДЕЛЬ | 693 |
![]() |
|
Корзина
|