Версия для печати
Технические характеристики IRF530N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	633pF @ 25V
Power - Max	79W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRF530N N-channel Trenchmos Transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com IRF530N datasheet 99.5Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	143.64
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс		4	160.02
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ТАИЛАНД
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO TECH	2 320	97.12
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	269
		LM2904 SO-8
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	28.35
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	851	24.57
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	10 326	3.57
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	MICRO CHIP
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz			725.12
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	Microchip Technology
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	ТАИЛАНД
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	685
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	DC COMPONENTS	118 857	4.03
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	DIC
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	MASTER INSTRUMENT CO
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	SMK
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	DIOTEC	53 804	4.42
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	SEMICRON
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	GENERAL SEMICONDUCTOR
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	GALAXY
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	GENERAL SEMICONDUCTOR
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	VISHAY
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	MIC	196 909	1.86  >100 шт.   0.93
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	КИТАЙ
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	ТАИЛАНД
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	YJ	889 105	1.13
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс		92 812	1.20  >100 шт.   0.60
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	GALAXY ME
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	HOTTECH	290 702	1.94  >100 шт.   0.97
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	KLS
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	SEMTECH	8	7.70
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	TOS
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	YANGJIE (YJ)
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	0.00
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	YOUTAI	384 629	1.66  >100 шт.   0.83
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	KOME	4 800	1.52  >100 шт.   0.76
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	YANGJIE	360 000	1.55
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	CJ	4 752	2.22
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	JINGDAO	2 498	2.09
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	TRR	408 000	1.34  >100 шт.   0.67
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	SUNMATE	4 785	1.78  >100 шт.   0.89
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.43
		US1M		Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс	YANGZHOU YANGJIE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"