Версия для печати
Технические характеристики MBR0520-TP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	450mV @ 500mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	20V
Current - Average Rectified (Io)	500mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 20V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-123
Корпус	SOD-123

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	160.06
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс		4	160.02
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ТАИЛАНД
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO TECH	880	86.79
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	269
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	PHILIPS
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W		464	20.78
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	PHILIPS
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	МЕКСИКА
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	INTERNATIONAL RECTIFIER	26
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	INFINEON
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	1
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	JSMICRO	2 696	26.03
		LM2904 SO-8
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	32.01
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	842	27.33
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	17 159	4.60
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	MICRO CHIP
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz			725.12
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	Microchip Technology
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	ТАИЛАНД
		PIC18F2320-I/SP		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	685

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"