IRL3714ZS
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 10V |
| Power - Max | 35W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL3714ZS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 184 |
|
|||||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
 |
MMDF1N05E |
|
Power mosfet 1 amp, 50 volts n?channel so?8, dual | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
| TLV2548IDW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW |
|
1 655.48 | ||||||
| TLV2548IDW | TEXAS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW | 4-7 НЕДЕЛЬ | 489 |
|
|||||
| VS-30BQ015TR | VISHAY |
|
|
|||||
| VS-30BQ015TR |
|
101.32 |
