Версия для печати
Технические характеристики HCM1203A

Производитель	JL World Co., Ltd.
Количество в упаковке	100 шт.
Вес	1.666 г
Номинальное напряжение	3 В
Номинальный ток	70 мА
Номинальное сопротивление	25 Ом
Мощность	85 дБ
Cavity E	2.4 кГц
Тип монтажа	PIN
Cavity F	Электромагнитный
Размер	ф 12x9 мм
Рабочая температура	-40...85 °C
Температура хранения	-40...85 °C
	Electro-Magnetic Sound Generator

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0430450600MOLEX			MOLEX
		AT45DB081D-SU		Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte ...	ATMEL
		AT45DB081D-SU		Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte ...			214.40
		AT45DB081D-SU		Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte ...	ATMEL CORPORATION	1
		AT45DB081D-SU		Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte ...	США
		AT45DB081D-SU		Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AT45DB081D-SU		Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte ...	ADESTO TECHNOLOGY CORP.
		AT45DB081D-SU		Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte ...	ADESTO
		AT45DB081D-SU		Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte ...	4-7 НЕДЕЛЬ	260
		ECAP 470/10V 0812 105C FB			SAMWHA
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	2 431
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON	17 948	23.76
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A		6 776	9.22
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	HOTTECH
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TR
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TRR	96	4.13
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	MICRO CHIP	2 646	29.96
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	MICRO CHIP
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	Microchip Technology
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)		5 531	25.01
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	ТАИЛАНД
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	1
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	34

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"