| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0430251000MOLEX |
|
|
MOLEX
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
281
|
5.52
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
608 720
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
|
|
4.48
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
YAGEO
|
12 431
|
12.74
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
2 861
|
13.06
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
|
4 825
|
3.79
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
273
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
71
|
1
|
3.94
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
76
|
132.92
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
|
744
|
113.63
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
|
744
|
113.63
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STC4054GR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
492
|
|
|