IRLML0030


Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3Вт

Купить IRLML0030 по цене 1.10 руб.  (без НДС 20%)
IRLML0030 Транзистор NexFET™ полевой N канальный,...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML0030 15 200 1.10 
IRLML0030 (HOTTECH) 22 201 6.69 
IRLML0030 (KLS) 179 11.69 
IRLML0030 (SUNTAN) 13 056 4.20 
IRLML0030 (KEENSIDE) 169 4.56 
IRLML0030 (KEEN SIDE) 3 624 2.34 
IRLML0030TR (VBSEMI) 36 4.08 
IRLML0030TR (HXY) 11 306 1.45 
IRLML0030TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER) 1 48.35 
IRLML0030TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 114 3-4 недели
Цена по запросу
IRLML0030TRPBF (INFINEON) 10 920 10.33 
IRLML0030TRPBF 7 040 7.18 

Транзистор NexFET™ полевой N канальный,  имеет низкие потери на проводимость и на управление
Напряжение сток исток 30В
Ток стока   5.3А
Мощность рассеиваемая   1.3Вт
Время восстановления  11нс
Диапазон температур  - 55 ... 150оС
Версия для печати

Технические характеристики IRLML0030

Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 5.2A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds382pF @ 15V
Power - Max1.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3Вт

IRLML0030 datasheet
224,54kB
10стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход