| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
BY299 |
|
Диод выпрямительный 1000В 2A 500нс DO27
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
BY299 |
|
Диод выпрямительный 1000В 2A 500нс DO27
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BY299 |
|
Диод выпрямительный 1000В 2A 500нс DO27
|
|
|
32.40
|
|
|
|
|
BY299 |
|
Диод выпрямительный 1000В 2A 500нс DO27
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
 |
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
30
|
52.47
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
8
|
43.13
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
|
2 748
|
25.20
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
792
|
16.38
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 395
|
3.72
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 908
|
5.58
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
7.44
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
196
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4264
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6178
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
762
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0,25-1 КОМ-5% |
|
|
|
1
|
7.56
|
|
Версия для печати
