2N5088

Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
2N5088	1 600	3-4 недели Цена по запросу
2N5088 (SAMSUNG.)	696	3-4 недели Цена по запросу
2N5088G (ON SEMICONDUCTOR.)	33	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики 2N5088

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 100µA, 5V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор NPN, 30В 100мA

2N5088 datasheet
74,6kB
5стр.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5087		FAIR
2N5087		NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5087		ON SEMICONDUCTOR
2N5087		FAIRCHILD
2N5087		FAIRCHILD
2N5087		NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5087		ON SEMICONDUCTOR
2N5087
2N5089		FAIR
2N5089		ON SEMICONDUCTOR
2N5089
2N5089		UTC
2N5089		FAIRCHILD
2N5089		FAIRCHILD
2N5089		ON SEMICONDUCTOR
2N5089		OTHER
2N5089		MOTOROLA
2N5089		UNISONIC
2N5089		КИТАЙ
2N5210		FAIR
2N5210
2N5210		FAIRCHILD
2N5210		FAIRCHILD	2 623
2N5210		OTHER
2N5210
КТ3102Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный			96.28
КТ3102Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3102Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ДАЛЕКС
КТ3102Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВСК
КТ3102Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
КТ3102Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ЭЛЕКС	208	340.96

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SJ103	Биполярный транзистор P-MOS 50V	NEC
2SJ103	Биполярный транзистор P-MOS 50V	TOSHIBA
2SJ103	Биполярный транзистор P-MOS 50V	TOS
2SJ103	Биполярный транзистор P-MOS 50V			23.56
2SJ103	Биполярный транзистор P-MOS 50V	NO TRADEMARK
BC337		FAIR
BC337		MOTOROLA
BC337		NATIONAL SEMICONDUCTOR
BC337		NXP
BC337		FAIRCHILD
BC337		FAIRCHILD
BC337		MOTOROLA
BC337		NATIONAL SEMICONDUCTOR
BC337		NXP
BC337		OTHER
BC337		Fairchild Semiconductor
BC337				6.88
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92	PHILIPS
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92	FAIR
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92			50.00
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92	Fairchild Semiconductor
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92	NXP
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92	SILICONIX
J177	Транзистор FET P-CHANNEL 30В, TО92	FAIRCHILD
J201	Полевой транзистор 40В, 0,05А	FAIR
J201	Полевой транзистор 40В, 0,05А	SILICONIX
J201	Полевой транзистор 40В, 0,05А			30.40
J201	Полевой транзистор 40В, 0,05А	FAIRCHILD
J201	Полевой транзистор 40В, 0,05А	FAIRCHILD
J201	Полевой транзистор 40В, 0,05А	SILICONIX
J201	Полевой транзистор 40В, 0,05А	Fairchild Semiconductor
J201	Полевой транзистор 40В, 0,05А	CLG
LM386N-3		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM386N-3			1	88.20
LM386N-3		NSC
LM386N-3		4-7 НЕДЕЛЬ	80

2N5088

Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

С этим товаром покупают: