Версия для печати
Технические характеристики 2N5087

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100µA, 5V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	40MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

Selection guide Small-signal Transistors Также в этом файле: 2N5087 Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com 2N5087 datasheet 4.83Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5086			FAIR
		2N5086			FAIRCHILD
		2N5086			FAIRCHILD
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	FAIR
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	MOTOROLA
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ON SEMICONDUCTOR
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	SAMSUNG
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц		1 600
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	FAIRCHILD
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	FAIRCHILD
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ON SEMICONDUCTOR
		2N5088		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	SAMSUNG	696
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	КРЕМНИЙ	800	10.93
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...		847	15.12
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	БРЯНСК	2 659	8.48
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	МИНСК	966	8.48
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	RUS
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	РИГА
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	1243
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	3399
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	5

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ON SEMICONDUCTOR
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ONS
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ON SEMICONDUCTOR	33
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ON SEMICONDUCTO
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц			46.72
		BC846BLT1		Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C)			1.96
		BC846BLT1		Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC846BLT1		Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		LF442CN			ST MICROELECTRONICS
		LF442CN			NS
		LF442CN			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF442CN					63.80
		LF442CN			NSC
		LF442CN			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF442CN			NATIONAL SEMIC
		LF442CN			TEXAS INSTRUMENTS
		LF442CN			4-7 НЕДЕЛЬ	328
		LM358(DIP-8)		Двухканальный операционный усилитель
		LM358(DIP-8)		Двухканальный операционный усилитель	PH / NXP
		LM358(DIP-8)		Двухканальный операционный усилитель	PH/NXP	9	16.51
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	ALLEGRO
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIR
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	MOTOROLA
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)			38.80
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	MOTOROLA
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	Fairchild Semiconductor

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"