|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5086 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5086 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5086 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
|
1 600
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
SAMSUNG
|
696
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
КРЕМНИЙ
|
1 190
|
9.07
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
|
1 108
|
15.12
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
БРЯНСК
|
2 751
|
8.40
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
МИНСК
|
1 172
|
8.40
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
|
881
|
21.23
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
ISC
|
793
|
128.79
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
JSMICRO
|
1 410
|
23.15
|
|
|
|
78L05 (LM78L05) |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
HTC
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
|
|
63.80
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
604
|
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
MICRO CHIP
|
612
|
268.63
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
|
|
392.00
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
776
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
|
|
38.80
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|