|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5086 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5086 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5086 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
|
1 600
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
SAMSUNG
|
696
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
КРЕМНИЙ
|
1 190
|
9.07
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
|
1 100
|
15.12
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
БРЯНСК
|
2 751
|
8.40
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
МИНСК
|
1 172
|
8.40
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
|
1 120
|
24.24
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
|
496.00
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
172
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
790
|
425.22
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
678
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
626
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
18 448
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
372 545
|
1.28
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
TOP DIODE
|
81 600
|
1.05
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
|
|
63.80
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
328
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
|
|
38.80
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA13 |
|
Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|