| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF740PBF |
|
Транзистор N-канальный (400V, 10A, 125W, 0.55R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740PBF |
|
Транзистор N-канальный (400V, 10A, 125W, 0.55R)
|
VISHAY
|
1 457
|
55.79
|
|
|
|
|
IRF740PBF |
|
Транзистор N-канальный (400V, 10A, 125W, 0.55R)
|
|
3 500
|
49.61
|
|
|
|
|
IRF740PBF |
|
Транзистор N-канальный (400V, 10A, 125W, 0.55R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF740PBF |
|
Транзистор N-канальный (400V, 10A, 125W, 0.55R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRF740PBF |
|
Транзистор N-канальный (400V, 10A, 125W, 0.55R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
SK200M0330B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 200 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK200M0330B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 200 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK200M0330B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 200 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛЕ1 |
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, 201.14-1, 1г.
|
|
1
|
45.36
|
|
|
|
|
К155ЛЕ1 |
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, 201.14-1, 1г.
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛЕ1 |
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, 201.14-1, 1г.
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛЕ1 |
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, 201.14-1, 1г.
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ТМ2 |
|
ТТЛ; +5В Два D-триггера.
|
|
12
|
31.45
|
|
|
|
|
К155ТМ2 |
|
ТТЛ; +5В Два D-триггера.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К155ТМ2 |
|
ТТЛ; +5В Два D-триггера.
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ТМ2 |
|
ТТЛ; +5В Два D-триггера.
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ТМ2 |
|
ТТЛ; +5В Два D-триггера.
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К155ТМ2 |
|
ТТЛ; +5В Два D-триггера.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К155ТМ2 |
|
ТТЛ; +5В Два D-триггера.
|
ИНТЕГРАЛ
|
336
|
79.56
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
140
|
1 171.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
22
|
592.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
129
|
1 473.40
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
