IRF740PBF
Транзистор N-канальный (400V, 10A, 125W, 0.55R)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF740PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
16K1 F 100K |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм | 1 365 | 15.12 | ||
|
|
|
16K1 F 100K |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм | RUICHI | 56 | 23.67 | |
 |
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210 | BOURNS | 15 065 | 13.21 | |
|
|
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210 |
|
67.20 | ||
| SH025M0100BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH025M0100BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В |
|
|
||||
| SH025M0100BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH025M0100BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC | UTC |
|
|
|
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC |
|
|
||
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC | 4-7 НЕДЕЛЬ | 285 |
|
|
| К50-37-16-22000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22000 мкФ 16 В |
|
713.00 | ||||
| К50-37-16-22000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22000 мкФ 16 В | ВКЗ |
|
|
