Версия для печати
Технические характеристики IRF740PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRF740PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRF740PBF datasheet 926.5 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		16K1 F 100K		Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм		3
		16K1 F 100K		Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм	RUICHI
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	YJ
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...		349	24.05
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	MIC	4 056	13.27
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	GALAXY
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	КИТАЙ
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	GALAXY ME
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	HOTTECH	2 400	6.69
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	YIXING
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	BO	40	6.40
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	TRR	2 400	6.78
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	RUME	4 000	7.52
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	54
		SJ035M0470B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В	YAGEO
		SJ035M0470B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SJ035M0470B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В
		TL494 DIP-16		Контроллер для AC-DC	UTC
		TL494 DIP-16		Контроллер для AC-DC
		TL494 DIP-16		Контроллер для AC-DC	4-7 НЕДЕЛЬ	285
		TL494 DIP-16		Контроллер для AC-DC	КИТАЙ	1	12.00
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS	80	40.60
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	MOTOROLA	52	40.60
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz		16	102.06
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ON Semiconductor
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTR
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	МАЛАЙЗИЯ
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ONS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMEN
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	1
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	JSMSEMI	1	39.22
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	714

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"