KBPC5010W 50А 1000А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	FAIR
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс			8.28
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS	41
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KLS
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEENSIDE
BAS216	Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	ASEMI
TNY268G				108.00
TNY268G		PI
TNY268G		POWER INTEGRATIONS
TNY268G		POWER INTEGRATIONS	36
TNY268G		4-7 НЕДЕЛЬ	327
К78-22-450-6.0 10%	Плёночный конденсатор 6 мкФ 450 В			60.72
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
М2000НМ1-36 К28169		ФЕРРО
М2000НМ1-36 К28169		НЕВА-ФЕРРИТ