Версия для печати
Технические характеристики К78-31-1000-0.1 10%

Тип	Пленочный
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Серия	К78-31
Емкость	0.1 мкФ
Номинальное напряжение	1000 В

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

КОНДЕНСАТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR53HD420		Драйвер полумостовой с автогенератором + Диод. Uсм=500В, Iвых=0.5A Тбл=1.2мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER	3 712	254.40
		IR53HD420		Драйвер полумостовой с автогенератором + Диод. Uсм=500В, Iвых=0.5A Тбл=1.2мкс			252.24
		IR53HD420		Драйвер полумостовой с автогенератором + Диод. Uсм=500В, Iвых=0.5A Тбл=1.2мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	238
		IR53HD420		Драйвер полумостовой с автогенератором + Диод. Uсм=500В, Iвых=0.5A Тбл=1.2мкс	4638
		IR53HD420		Драйвер полумостовой с автогенератором + Диод. Uсм=500В, Iвых=0.5A Тбл=1.2мкс	9
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	67.15
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...		8	74.00
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS INSTRUMENTS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В			305.96
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C	24
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	МАЛАЙЗИЯ
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS INSTRUMEN
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	4-7 НЕДЕЛЬ	601
		С5-16МВ-5-5.1F

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"