| Корпус (размер) | 64-TQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 8x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 4K x 8 |
| EEPROM Size | 4K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 128KB (64K x 16) |
| Число вводов/выводов | 53 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USART |
| Скорость | 16MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | AVR |
| Серия | AVR® ATmega |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
|
38 160
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
23 245
|
1.50
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
36 964
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
68 070
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
727
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YJ
|
351 671
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
33 380
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
15 320
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
FT232BL |
|
Преобразователь USB - Последовательный интерфейс, PB-free
|
FTDI
|
|
|
|
|
|
FT232BL |
|
Преобразователь USB - Последовательный интерфейс, PB-free
|
FUTURE TECH DEVICES INTER
|
|
|
|
|
|
FT232BL |
|
Преобразователь USB - Последовательный интерфейс, PB-free
|
|
|
640.00
|
|
|
|
FT232BL |
|
Преобразователь USB - Последовательный интерфейс, PB-free
|
FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
|
22
|
|
|
|
|
FT232BL |
|
Преобразователь USB - Последовательный интерфейс, PB-free
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FT232BL |
|
Преобразователь USB - Последовательный интерфейс, PB-free
|
FUTURE POWER TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
FT232BL |
|
Преобразователь USB - Последовательный интерфейс, PB-free
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
281
|
|
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
51
|
|
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
|
INFINEON
|
4 320
|
60.35
|
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
|
|
1 580
|
50.66
|
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
|
UMW
|
1 120
|
54.76
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
SILICON STORAGE TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
|
|
300.00
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
SILICON STORAGE TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
716
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
164
|
457.57
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
|
74
|
265.57
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
211
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
225
|
|
|