|
|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DI104ST/R | PANJIT |
|
|
|||||
| DI104ST/R | PANJIT | 9 749 |
|
|||||
|
|
|
ECAP 4.7/400V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С | JAMICON | 1 | 24.76 | |
|
|
|
ECAP 4.7/400V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С |
|
28.00 | ||
|
|
|
ECAP 4.7/400V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С | JAM |
|
|
|
|
|
|
ECAP 4.7/400V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С | YAGEO |
|
|
|
|
|
|
ECAP 4.7/400V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С | JB |
|
|
|
|
|
|
IRFR310 |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFR310 |
|
Транзистор полевой | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFR310 |
|
Транзистор полевой |
|
66.04 | ||
|
|
|
IRFR310 |
|
Транзистор полевой | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFR310 |
|
Транзистор полевой | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
US1G | DC COMPONENTS | 42 586 | 4.12 | ||||
|
|
US1G | DIC |
|
|
||||
|
|
US1G | SMK |
|
|
||||
|
|
US1G | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
US1G | PACELEADER INDUSTRIAL |
|
|
||||
|
|
US1G | 36 869 |
1.42 >100 шт. 0.71 |
|||||
|
|
US1G | DIOTEC |
|
|
||||
|
|
US1G | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
US1G | GALAXY |
|
|
||||
|
|
US1G | GENERAL SEMICONDUCTOR | 24 |
|
||||
|
|
US1G | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
US1G | PACELEADER INDUSTRIAL CORP. |
|
|
||||
|
|
US1G | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
US1G | MICRO ELECTRONICS | 2 109 |
|
||||
|
|
US1G | MIC | 34 751 | 1.41 | ||||
|
|
US1G | YJ | 114 582 | 2.07 | ||||
|
|
US1G | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP | 2 758 |
|
||||
|
|
US1G | GALAXY ME |
|
|
||||
|
|
US1G | HOTTECH | 15 200 | 1.03 | ||||
|
|
US1G | WUXI XUYANG | 27 761 | 4.66 | ||||
|
|
US1G | YANGJIE (YJ) |
|
|
||||
|
|
US1G | SEMTECH |
|
|
||||
|
|
US1G | YANGZHOU YANGJIE |
|
|
||||
|
|
US1G | KEEN SIDE | 5 463 |
1.30 >100 шт. 0.65 |