US1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
US1G (DC COMPONENTS)	45 355	2.60
US1G	69	9.25
US1G (GENERAL SEMICONDUCTOR.)	24	3-4 недели Цена по запросу
US1G (MICRO ELECTRONICS.)	2 109	3-4 недели Цена по запросу
US1G (MIC)	10 820	2.47
US1G (YJ)	136 100	2.07
US1G (LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.)	2 758	3-4 недели Цена по запросу
US1G (GALAXY ME)	4 159	3.12
US1G (HOTTECH)	88 283	1.74
US1G (WUXI XUYANG)	22 209	5.03

Версия для печати

Технические характеристики US1G

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 400V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Capacitance @ Vr, F	20pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

US1x

Surface Mount Ultra Fast Rectifiers

Также в этом файле: US1G

Производитель:
Weitron Technology
//www.weitron.com.tw

US1G datasheet
128.16Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2П103Д			701	147.42
2П103Д		ВИННИЦА
2П103Д		RUS
BYS10-45-E3/TR	Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс	VISHAY	7 215	8.25
BYS10-45-E3/TR	Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс	Vishay/General Semiconductor
BYS10-45-E3/TR	Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
BYS10-45-E3/TR3		VISHAY
BYS10-45-E3/TR3		Vishay/General Semiconductor
BYS10-45-E3/TR3		VISHAY	32
BYS10-45-E3/TR3
DS2E-M-DC48V-R		NAIS
DS2E-M-DC48V-R		NAIS	100
DS2E-M-DC48V-R		Panasonic Electric Works
TEN 3-1211	DC/DC, 3Вт, вход 9:18V, выход 5V/500mA, изоляция 1500VDC,DIP24 32х20х10.2мм., - 40°C ...	TRACO	78	2 052.54
TEN 3-1211	DC/DC, 3Вт, вход 9:18V, выход 5V/500mA, изоляция 1500VDC,DIP24 32х20х10.2мм., - 40°C ...