C1206-0.1 UF-10% X7R-50V

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BYD17J		PHILIPS
BYD17J		PHILIPS	67
BYD17J		PHILIPS SEMIC
BYD17J		NXP
BYD17J
BYD17J
C1206-6800 PF-20%
ECAP 4.7/400V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С	JAMICON	1	24.76
ECAP 4.7/400V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С			28.00
ECAP 4.7/400V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С	JAM
ECAP 4.7/400V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С	YAGEO
ECAP 4.7/400V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7мкФ, 400 В, 105С	JB
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	2 296	25.52