| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
62.37
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
3
|
74.00
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
47
|
653.40
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
|
|
491.08
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А
|
LITTELFUSE
|
1 600
|
165.38
|
|
|
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А
|
|
|
|
|
|
|
|
TBA2800 |
|
RC входной усилитель тока фотодиода
|
ITT
|
|
|
|
|
|
|
TBA2800 |
|
RC входной усилитель тока фотодиода
|
|
|
58.24
|
|
|
|
|
TBA2800 |
|
RC входной усилитель тока фотодиода
|
MICRONAS
|
|
|
|
|
|
|
TBA2800 |
|
RC входной усилитель тока фотодиода
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
352
|
|
|
|
|
|
КР1561ПР1 |
|
Преобразователь последовательного кода в паралельный , 8 бит, 0.5 ... 20В, 500мВт
|
|
|
92.00
|
|
|
|
|
КР1561ПР1 |
|
Преобразователь последовательного кода в паралельный , 8 бит, 0.5 ... 20В, 500мВт
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1561ПР1 |
|
Преобразователь последовательного кода в паралельный , 8 бит, 0.5 ... 20В, 500мВт
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
Версия для печати
