SE090N
SMPS усилитель ошибки, 90V
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK793 N-MOS 850V. 5A. 150W. P |
|
|
||||||
| 2SK793 N-MOS 850V. 5A. 150W. P | TOSHIBA |
|
|
|||||
| HA13456A | FAIR |
|
|
|||||
| HA13456A | HITACHI SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| HA13456A | HITACHI |
|
|
|||||
| HA13456A | 1 | 444.00 | ||||||
| HA13456A | HIT |
|
|
|||||
| HA13456A | HITACHI SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| HA13456A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 768 |
|
|||||
 |
 |
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 28 | 787.82 | |
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... |
|
491.08 | ||
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
 |
ON4959 | 4 | 290.45 | |||||
|
|
ON4959 | 1 |
|
|
||||
 |
|
PC111 |
|
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V | SHARP |
|
|
|
|
|
|
PC111 |
|
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V | 18 | 89.46 | ||
|
|
|
PC111 |
|
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V | 1 |
|
|
|
|
|
|
PC111 |
|
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V | 4-7 НЕДЕЛЬ | 28 |
|
