|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DT-26 32.768КГЦ 12PF | DINKLE INTERNATIONAL COMPANY |
|
|
|||||
| DT-26 32.768КГЦ 12PF |
|
15.56 | ||||||
| К50-24 63 В 470 МКФ |
|
|
||||||
|
|
|
КД522Б (1N4148) |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ |
|
|
||
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный |
|
20.40 | ||
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | 9 030 | 37.80 | |
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ЗПП МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
|
| МЛТ-0.25- 18К 5% |
|
|