|
Количество каналов | 1 |
Напряжение питания,В | ±15 |
Частота, МГц | 0.4 |
Напряжение смещения, мВ | 0.15 |
Температурный диапазон, C | -10…+85 |
Тип корпуса | DIP8 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
К1401УД2Б | 3 | 36.00 | ||||||
К1401УД2Б | ФОТОН | 474 | 85.61 | |||||
К1401УД2Б | RUS | |||||||
К1401УД2Б | КВАЗАР | 16 | 18.08 | |||||
К50-24 63 В 470 МКФ | ||||||||
КТ972Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 5 | 35.20 | |||||
КТ972Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР | ||||||
КТ972Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | 10 396 | 38.00 | ||||
КТ972Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР МИНСК | ||||||
КТ972Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ЗПП МИНСК | ||||||
КТ972Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 80 | 30.60 | ||||
КТ972Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ-С | ||||||
МЛТ-0,5 2,2К 5% | ||||||||
МЛТ-0.25- 18К 5% |
|