Версия для печати
Технические характеристики КР140УД17Б

Количество каналов	1
Напряжение питания,В	±15
Частота, МГц	0.4
Напряжение смещения, мВ	0.15
Температурный диапазон, C	-10…+85
Тип корпуса	DIP8

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LV25-P			LEM	149	1 938.57
		LV25-P					21 120.00
		LV25-P			ТВЛМ
		LV25-P			LEM HOLDINGS
		К1401УД2Б				16	18.40
		К1401УД2Б			ФОТОН	544	165.31
		К1401УД2Б			RUS
		К1401УД2Б			КВАЗАР
		К1401УД2Б			57
		К50-24 63 В 470 МКФ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	8 460	38.16
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398
		МЛТ-0.25- 18К 5%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"