Версия для печати
Технические характеристики КР140УД17Б

Количество каналов	1
Напряжение питания,В	±15
Частота, МГц	0.4
Напряжение смещения, мВ	0.15
Температурный диапазон, C	-10…+85
Тип корпуса	DIP8

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		К50-24 16 В 100 МКФ
		КР140УД20А		Сдвоенный операционный усилитель 11.5В, 80нА		2 469	8.75
		КР140УД20А		Сдвоенный операционный усилитель 11.5В, 80нА	КИЕВ
		КР140УД20А		Сдвоенный операционный усилитель 11.5В, 80нА	КВАДР	2 073	45.90
		КР140УД20А		Сдвоенный операционный усилитель 11.5В, 80нА	КВАЗАР	2	18.20
		КР140УД20А		Сдвоенный операционный усилитель 11.5В, 80нА	RUS
		КР140УД20А		Сдвоенный операционный усилитель 11.5В, 80нА	МИКРОМ
		КР140УД20А		Сдвоенный операционный усилитель 11.5В, 80нА	МИКРО-М
		КТ203БМ			ДАЛЕКС
		КТ203БМ				1 584	15.30
		КТ203БМ			АЛЕКСАНДРОВ
		КТ203БМ			ЭЛЕКС
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		5	35.20
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	10 396	38.00
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	80	30.60
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		МЛТ-0.25-12КJ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"