Версия для печати
Технические характеристики FDP18N50

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UniFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	265 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2860pF @ 25V
Power - Max	235W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

FDP18N50 (MOSFET) 500V N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FDP18N50 datasheet 466.1 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0216010.MXP			Littelfuse Inc
		0216010.MXP			LITTELFUSE	35 274	15.32
		0216010.MXP			LTL
		0216010.MXP
		0216010.MXP			LITTLEFUSE
		1000МКФ25В(10X21)105°C
		1000МКФ25В(10X21)105°C			JAMICON
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	ITL/HAR
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	INTERSIL	8	98.28
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	ITL
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	HARRIS
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...		1	166.50
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	INTERSIL
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	RENESAS	341	116.23
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	1
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	4-7 НЕДЕЛЬ	124
		SPP21N50C3		N-MOS 600V, 20A, 208W	INFINEON
		SPP21N50C3		N-MOS 600V, 20A, 208W	Infineon Technologies
		SPP21N50C3		N-MOS 600V, 20A, 208W
		SPP21N50C3		N-MOS 600V, 20A, 208W	INFINEON
		STTH12R06DIRG			ST MICROELECTRONICS	721	123.13
		STTH12R06DIRG			STMicroelectronics
		STTH12R06DIRG
		STTH12R06DIRG			ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"