IRF3205Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 66A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF3205Z (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3205ZL, IRF3205ZS
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFD15 N87 B66413-G-X187 | SHAAN |
|
|
|||||
| EFD15 N87 B66413-G-X187 |
|
58.16 | ||||||
 |
FS3M |
|
SMD выпрямительный диод 1000V 3A SMC | FAGOR |
|
|
||
|
|
FS3M |
|
SMD выпрямительный диод 1000V 3A SMC |
|
50.12 | |||
 |
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONS | 985 | 98.30 | |
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A |
|
76.64 | ||
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR | 82 |
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | YJ |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | 1 |
|
|
|
| SK100M0100B5S-1019 (100V 100UF/10*19) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 100 В |
|
|
