IRF3205Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF3205Z	1 552	52.23

Версия для печати

Технические характеристики IRF3205Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 66A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3450pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3205Z (Дискретные сигналы)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF3205ZL, IRF3205ZS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF3205Z datasheet
302.82Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
EFD20 P3 СЕРД.		SHAAN
EFD20 P3 СЕРД.			25.80
EFD20 P3 СЕРД.		SHINHOM
EFD20 P3 СЕРД.		КИТАЙ
FS3M	SMD выпрямительный диод 1000V 3A SMC	FAGOR
FS3M	SMD выпрямительный диод 1000V 3A SMC		50.12
SK100M0100B5S-1019 (100V 100UF/10*19)	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 100 В