Версия для печати
Технические характеристики BD440

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	800mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 500mA, 1V
Power - Max	36W
Frequency - Transition	3MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-225-3
Корпус	TO225AA

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6036			ST MICROELECTRONICS
		2N6036
		2N6036			STMicroelectronics
		2N6036			ON Semiconductor
		2N6036
		2N6036			STMICROELECTR
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...			29.20
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS	396	11.97
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ON Semiconductor
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTR
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST1
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRO
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	FAIRCHILD
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	MULTICOMP
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	1
		MJE700			MOTOROLA
		MJE700			MOTOROLA
		MJE700			ON SEMICONDUCTOR
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		96	25.76
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	34.01
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 280	14.32
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC32D.653		Quad 2Inp OR Gate	NXP	53	8.39
		74HC32D.653		Quad 2Inp OR Gate	NEX-NXP
		74HC32D.653		Quad 2Inp OR Gate
		74HC32D.653		Quad 2Inp OR Gate	87
		74HC32D.653		Quad 2Inp OR Gate	67
		M74HC00RM13TR		Quad 2Inp NAND Gate	ST MICROELECTRONICS
		M74HC00RM13TR		Quad 2Inp NAND Gate			8.80
		M74HC00RM13TR		Quad 2Inp NAND Gate	STMICROELECTRONICS
		M74HC00RM13TR		Quad 2Inp NAND Gate	МАРОККО
		M74HC00RM13TR		Quad 2Inp NAND Gate	4-7 НЕДЕЛЬ	456
		MCP100-485I/TT			MICRO CHIP
		MCP100-485I/TT					40.68
		MCP100-485I/TT			ГЕРМАНИЯ
		MCP100-485I/TT			4-7 НЕДЕЛЬ	272
		RX27-1 0.01 ОМ 25W 5% / SQP25
		RX27-1 0.1 ОМ 5W 5% / SQP5				400	4.62
		RX27-1 0.1 ОМ 5W 5% / SQP5			XIN HUA
		RX27-1 0.1 ОМ 5W 5% / SQP5			RUICHI	960	10.50

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"