| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
|
4
|
92.50
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
|
|
65.24
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
CHINA
|
24 840
|
13.66
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
NXP
|
128
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ISC
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
|
|
45.48
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TLC272CP |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLC272CP |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
|
|
51.36
|
|
|
|
|
TLC272CP |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TLC272CP |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TLC272CP |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TLC272CP |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLC272CP |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
TLC272CP |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
412
|
|
|
|
|
|
WZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт белый 105Лм 120°
|
SEOUL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
WZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт белый 105Лм 120°
|
|
|
136.80
|
|