MBR120ESFT1G
|
|
Версия для печати
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 1A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 20V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123F |
| Корпус | SOD-123L |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 1% 1K18 |
|
|
||||||
 |
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | NUMONYX |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | 7 607 | 111.00 | |||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | MICRON |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | ФИЛИППИНЫ |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | 4-7 НЕДЕЛЬ | 104 |
|
||
 |
|
NR4018T6R8M |
|
Taiyo Yuden |
|
|
||
|
|
|
NR4018T6R8M |
|
|
|
|||
| RC0805JR-0747RL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC0805JR-0747RL | PHYCOMP | 16 551 |
|
|||||
| RC0805JR-0747RL | Yageo | 519 208 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |
|||||
| RC0805JR-0747RL | YAGEO | 140 000 |
|
|||||
| RC0805JR-0747RL |
|
|
||||||
| RC1206JR-07100KL | YAGEO | 263 865 |
0.75 >1000 шт. 0.15 |
|||||
| RC1206JR-07100KL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC1206JR-07100KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206JR-07100KL |
|
|
