SB160
Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V
|
Ограничительный диод шотки
|
Версия для печати
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500µA @ 60V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Корпус | DO-41 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SB160 (Диоды Шоттки) Ограничительный диод Шотки
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FR106 |
|
Импульсный диод 1А,800 В |
|
8.00 | ||
|
|
|
FR106 |
|
Импульсный диод 1А,800 В | DC COMPONENTS |
|
|
|
|
|
|
FR106 |
|
Импульсный диод 1А,800 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
FR106 |
|
Импульсный диод 1А,800 В | КИТАЙ |
|
|
|
| LTV817A |
|
DIP4 | LITE-ON |
|
|
|||
| LTV817A |
|
DIP4 | LIT |
|
|
|||
| LTV817A |
|
DIP4 | 49 | 34.02 | ||||
| LTV817A |
|
DIP4 | КИТАЙ |
|
|
|||
| LTV817A |
|
DIP4 | ТАИЛАНД |
|
|
|||
| LTV817A |
|
DIP4 |
|
|
||||
 |
|
PZT2907AT1G |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
PZT2907AT1G |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223 | ONS | 1 | 12.93 | |
|
|
|
PZT2907AT1G |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
PZT2907AT1G |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223 |
|
10.00 | ||
| RC1206FR-07200RL | YAGEO | 138 722 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |
|||||
| RC1206FR-07200RL | YAGEO | 13 332 |
|
|||||
| RC1206FR-07200RL |
|
|
||||||
| SH050M0100A5F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
