IRF7416TRPBF
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0430250800MOLEX | MOLEX |
|
|
|||||
| 0805 10 КОМ 5% | ELZET |
|
|
|||||
| 0805 10 КОМ 5% | FENGHVA |
|
|
|||||
 |
 |
BAT54WS |
|
VISHAY |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
69 600 |
1.66 >100 шт. 0.83 |
|||
|
|
|
BAT54WS |
|
DIOTEC | 86 001 | 1.49 | ||
|
|
|
BAT54WS |
|
HOTTECH | 57 167 |
1.32 >100 шт. 0.66 |
||
|
|
|
BAT54WS |
|
YJ | 155 664 | 1.05 | ||
|
|
|
BAT54WS |
|
LGE |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
KLS |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
YANGJIE |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
SEMTECH |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
JSCJ | 15 528 | 1.02 | ||
|
|
|
BAT54WS |
|
SUNTAN | 349 874 | 1.66 | ||
|
|
|
BAT54WS |
|
YANGZHOU YANGJIE |
|
|
||
|
|
|
BAT54WS |
|
KEEN SIDE | 81 528 |
1.80 >100 шт. 0.90 |
||
| RC0805JR-0720KL | YAGEO | 30 045 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| RC0805JR-0720KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0805JR-0720KL |
|
|
||||||
| SIM900R [S2-1047P-Z093A/B04] | SIMCOM |
|
|
|||||
| SIM900R [S2-1047P-Z093A/B04] |
|
|
