| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
53 200
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.80
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
298 134
|
1.75
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
108 747
|
1.77
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
1 078
|
3.43
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
35 838
|
2.87
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
253
|
1.52
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
67 232
|
2.02
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
9156
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
RUME
|
2 400
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
TRR
|
4 800
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
XXW
|
85 415
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
|
ESDA6V1-5SC6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
ESDA6V1-5SC6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
363
|
|
|
|
|
|
ESDA6V1-5SC6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
ESDA6V1-5SC6 |
|
|
|
8
|
49.14
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
|
1 764
|
31.59
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
|
2
|
102.30
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
2 540
|
66.12
|
|
|
|
|
PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
|
2 765
|
46.52
|
|
|
|
|
PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
1 901
|
|
|
|
|
|
PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
2
|
|
|
|