HGTG27N120BN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HGTG27N120BN		2 400.00

Версия для печати

Технические характеристики HGTG27N120BN

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 27A
Current - Collector (Ic) (Max)	72A
Power - Max	500W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247
Product Change Notification	Lead Frame Change 20/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HGTG27N120BN

72a, 1200v, Npt Series N-channel IGBT

Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com

HGTG27N120BN datasheet
85.8Kb
7стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DE475-102N21A		IXYS
DE475-102N21A
FQA8N100C	1000v n-channel mosfet	FAIR
FQA8N100C	1000v n-channel mosfet			865.20
FQA8N100C	1000v n-channel mosfet	FAIRCHILD
FQA8N100C	1000v n-channel mosfet	FAIRCHILD
FQA8N100C	1000v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
FQA8N100C	1000v n-channel mosfet	ONS
GRM43DR73A473KW01L	Конденсатор керамический высоковольтный, Габ. разм., мм 1812, с 47 нФ, Uном,В 1000 В
GRM43DR73A473KW01L	Конденсатор керамический высоковольтный, Габ. разм., мм 1812, с 47 нФ, Uном,В 1000 В	MUR	27 800	13.07
GRM43DR73A473KW01L	Конденсатор керамический высоковольтный, Габ. разм., мм 1812, с 47 нФ, Uном,В 1000 В	Murata Electronics North America
GRM43DR73A473KW01L	Конденсатор керамический высоковольтный, Габ. разм., мм 1812, с 47 нФ, Uном,В 1000 В	MURATA	11 165	21.34
ISL9R30120G2		FAIR
ISL9R30120G2		ITL/HAR
ISL9R30120G2				1 320.00
ISL9R30120G2		Fairchild Semiconductor
ISL9R30120G2		FAIRCHILD
SPL PL90_3		OSRAM	7	3 415.99
SPL PL90_3