| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
G109 |
|
|
GAINTA
|
89
|
1 010.52
|
|
|
|
|
G109 |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
13 610
|
16.80
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
284
|
16.80
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
3 360
|
8.95
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
237
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
2 178
|
14.37
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
411
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 103
|
52.42
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
|
1 434
|
46.27
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
29
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
STMicroelectronics
|
15 992
|
60.54
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
<>
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
|
22 804
|
1.35
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
FAIRCHILD
|
5 008
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
DIOTEC
|
7 434
|
1.92
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
YJ
|
91 126
|
1.84
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
HOTTECH
|
9 496
|
2.18
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA56 |
|
|
UMW
|
2 480
|
2.07
|
|
|
|
|
STN1HNK60 |
|
N-channel 600v - 8? - 1a sot-223 supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
24 827
|
22.22
|
|
|
|
|
STN1HNK60 |
|
N-channel 600v - 8? - 1a sot-223 supermesh™ mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STN1HNK60 |
|
N-channel 600v - 8? - 1a sot-223 supermesh™ mosfet
|
|
2 920
|
49.91
|
|
|
|
|
STN1HNK60 |
|
N-channel 600v - 8? - 1a sot-223 supermesh™ mosfet
|
|
2 920
|
49.91
|
|
|
|
|
STN1HNK60 |
|
N-channel 600v - 8? - 1a sot-223 supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STN1HNK60 |
|
N-channel 600v - 8? - 1a sot-223 supermesh™ mosfet
|
KLS
|
|
|
|
Версия для печати
