Версия для печати
Технические характеристики STP9NK50Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	910pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP9NK50Z (MOSFET) N-CHANNEL 500V - 0.72? - 7.2A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP9NK50Z datasheet 365 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		47МКФ 450 (16X30)105°C
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс			112.80
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ФИЛИППИНЫ
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		IRF840APBF		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	VISHAY
		IRF840APBF		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840APBF		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	Vishay/Siliconix
		IRF840APBF		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	VISHAY/IR
		IRF840APBF		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	SILICONIX
		IRF840APBF		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)		832	54.63
		IRF840APBF		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	SILICONIX
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	ST MICROELECTRONICS	8	173.88
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR			159.60
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	STMicroelectronics
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	ST1
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	ST MICROELECTRO
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	STMICROELECTR
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	4-7 НЕДЕЛЬ	550
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMENTS	1 829	14.70
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us		796	22.20
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMENTS	20
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMEN
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	1
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	450

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"