MMBTH10LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBTH10LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	8 817	3-4 недели Цена по запросу
MMBTH10LT1G (ONS)	14 083	6.03

Версия для печати

Технические характеристики MMBTH10LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Frequency - Transition	650MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBTH10LT1G

VHF / UHF Transistor NPN Silicon

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBTH10LT1G datasheet
55.79Kb
6стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
433.92 МГЦ SAW R433A	Кварцевый резонатор 433,92МГц			96.00
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	NXP
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	VISHAY
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	FAIR
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	GENERAL SEMICONDUCTOR
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	PHILIPS
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс		46 716	1.56 >100 шт. 0.78
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	INTERNATIONAL RECTIFIER
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	DC COMPONENTS	23 241	2.31
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	DIOTEC	1 651	1.49
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	FAIRCHILD
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	FAIRCHILD	11 268
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	GENERAL SEMICONDUCTOR
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	NXP	7 296
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	OTHER
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	PHILIPS	2 720
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	ST MICROELECTRONICS
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	MCC
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	Fairchild Semiconductor
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS	37
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	КИТАЙ
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	GALAXY
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	FSC
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	NEXPERIA
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	ONS
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	ONS-FAIR
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	GALAXY ME	1 636	1.10
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	HOTTECH	131 543	1.86 >100 шт. 0.93
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	PANJIT	1	1.98
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	YOUTAI	5 188	1.52
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	YJ	111 884	1.48 >100 шт. 0.74
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	JSCJ	92 444	1.02 >500 шт. 0.34
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	UMW	960	2.07
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	CJ	1 424	1.68
BAT54	Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс	SEMTECH	17	2.38
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 753	2.10
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	619	1.51
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	27 688	1.36
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 324	1.25
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	24	11.37
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		34 570	1.32 >100 шт. 0.66
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	112 786	1.16
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	36 000	1.17
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	308 448	1.03
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	79 636	1.05
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	34 099	1.26
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	XXW	15 602	1.38 >100 шт. 0.69
P6KE300A-DC		DC COMPONENTS
TNY264P	PDIP8	PI
TNY264P	PDIP8			312.80
TNY264P	PDIP8	Power Integrations
TNY264P	PDIP8	POWER INTEGRATION	8	189.00
TNY264P	PDIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	662

MMBTH10LT1G

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

ВЧ транзисторы (биполярные)

С этим товаром покупают: