LM358PWR
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-TSSOP |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V |
| Ток выходной / канал | 30mA |
| Ток выходной | 1mA |
| Напряжение входного смещения | 3000µV |
| Ток - входного смещения | 20nA |
| Полоса пропускания | 700kHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.3 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
LM358PW (Операционные усилители) DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: LM358PWR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KBU6G 27.10 - 10 Д | MIC |
|
|
|||||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONS | 8 000 | 6.26 | |||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 3 840 | 11.06 | ||||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 0.00 |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 216 |
|
|||
| PDTC143ET.235 | NXP |
|
|
|||||
| XC5206-6PQ100C |
|
2 400.00 | ||||||
| XC5206-6PQ100C | XILINX |
|
|
|||||
| XC5206-6PQ100C | Xilinx Inc |
|
|
|||||
| XC5206-6PQ100C | XILINX |
|
|
|||||
| XC5206-6PQ100C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 629 |
|
|||||
 |
К145ИК17 |
|
Микросхема |
|
144.00 |
