LM358PWR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LM358PWR		20.00
LM358PWR (4-7 НЕДЕЛЬ)	262	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LM358PWR

Корпус	8-TSSOP
Корпус (размер)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Ток выходной / канал	30mA
Ток выходной	1mA
Напряжение входного смещения	3000µV
Ток - входного смещения	20nA
Полоса пропускания	700kHz
Скорость нарастания выходного напряжения	0.3 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LM358PW (Операционные усилители)

DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

Также в этом файле: LM358PWR

Производитель:
Texas Instruments
//www.ti.com

LM358PWR datasheet
448.01Kb
20стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON	2 800	35.13
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
KBU6G 27.10 - 10 Д		MIC
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ONS	8 000	6.50
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C		3 760	11.25
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ONSEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	0.00
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	4-7 НЕДЕЛЬ	216
PDTC143ET.235		NXP
К145ИК17	Микросхема			144.00