|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
|
|
|
|
|
|
AD8554ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
240
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
|
|
288.00
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
747
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
|
|
24.00
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
HGSEMI
|
3 465
|
23.95
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
428
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
|
2
|
272.00
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
521
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
74 116
|
2.04
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
11 544
|
4.44
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
80 666
|
2.77
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
28 485
|
5.23
|
|