BF420
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 50mA, 0.625W, 60MHz
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 20V |
| Power - Max | 830mW |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BF420 (Универсальные биполярные транзисторы) SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR Также в этом файле: BF420-AP
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФ 16В (4X5) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В |
|
13.60 | ||||
| 2SK2382 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SK2382 |
|
|
||||||
| 2SK2382 | TOS |
|
|
|||||
 |
 |
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W |
|
130.36 | ||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ISC |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | 1 |
|
|
|
 |
|
MMBD352WT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
|
