BUZ80A
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W
|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Power - Max | 100W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SIPMOS® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BUZ80A N - CHANNEL 800V - 2.5 Ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КП786А |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
MMBD352WT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
 |
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | ST MICROELECTRONICS | 120 | 193.19 | |
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) |
|
340.00 | ||
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 531 |
|
|
| ЖЕЛЕЗО ХЛОРНОЕ 250 ГР |
|
|
||||||
| КТ8126А1 |
|
|
||||||
| КТ8126А1 |
|
|
||||||
| ПП3-43-100 ОМ 10% |
|
|
