BUZ80A
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W
|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Power - Max | 100W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SIPMOS® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BUZ80A N - CHANNEL 800V - 2.5 Ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КП786А |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6520 | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| 2N6520 | 4 | 15.12 | ||||||
| 2N6520 | 1 |
|
|
|||||
 |
 |
BYG20J |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс |
|
13.20 | ||
| F32-4 ММ ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ЧЕРНАЯ 2:1, 1М |
|
100.80 | ||||||
 |
|
STW45NM60 |
|
N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STW45NM60 |
|
N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STW45NM60 |
|
N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STW45NM60 |
|
N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet |
|
1 218.52 | ||
| КТ8126А1 |
|
|
||||||
| КТ8126А1 |
|
|
