Версия для печати

SF5x GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER Также в этом файле: SF52 Производитель: GOOD-ARK Electronics //www.goodark.com SF52 datasheet 235.23Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

Синонимы от поставщиков: SF52 ; SF- 52 ; SF 52 ; SF — 52 ; SF52 ; диод SF52 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	54 171	1.01
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	416 265	1.48
		1N4007			DIOTEC	71 726	2.77
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	182 722	1.38
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				2 928	3.70
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	27	1.51
		1N4007			HOTTECH	60 724	1.42  >100 шт.   0.71
		1N4007			KLS	29 600	2.07
		1N4007			YS	2 311	1.38
		1N4007			YANGJIE	23 296	1.44
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	35 968	1.17
		1N4007			TWGMC	47 271	1.47  >500 шт.   0.49
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	85	1.30
		1N4007			ASEMI	1	1.44  >100 шт.   0.72
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	365 162	1.08  >100 шт.   0.54
		1N4007			MERRYELC
		1N4007			82582
		1N4007			81682
		1N4007			TRR	517 840	1.34  >100 шт.   0.67
		1N4007			71682
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	CHINA
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	BOURNS
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	BARONS
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный		11	32.00
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	Bourns Inc
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	КИТАЙ
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	NXP
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	KEC
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR	800	8.59
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	PHILIPS
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	FAIR
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	DC COMPONENTS	34 504	1.17
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	DIOTEC
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	FSC
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	FAIRCHILD
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	ONS
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	FAIRCHILD
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	NXP	54
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	OTHER
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	PHILIPS	53
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	КИТАЙ	56	1.50
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	Fairchild Semiconductor
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	ФИЛИППИНЫ
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...		357	11.34
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	CJ
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	KLS	390	1.51
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	HOTTECH	329	2.00
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	SEMTECH	92	1.93
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	0.00
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	CHINA
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	ZH	11 600	1.22
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	1
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	KOME	76	1.98
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	JSMICRO	2 968	1.18
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	KEEN SIDE	4 328	1.21
		BC546B		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	JSCJ	3 200	1.97
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный		516	25.90
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ	80	65.59
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	БРЯНСК	74	36.46
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ФРЯЗИНО	40	16.96
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	RUS
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	400	53.09
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМН
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭДЬТАВ
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЬТАВ	399	16.96
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	УЛЬЯНОВСК	72	16.96
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	97	14.30
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	14
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	151
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	179
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	260
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	342
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	376
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	122
		КТ837Е			КРЕМНИЙ	84	94.48
		КТ837Е			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ837Е			ВОРОНЕЖ
		КТ837Е			БРЯНСК
		КТ837Е			МИНСК
		КТ837Е				364	37.00
		КТ837Е			КРЕМН
		КТ837Е			КРЕМНИЙ ЭЛ	15	26.02
		КТ837Е			19

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"