Версия для печати

HERxxx (Диоды и выпрямители) High Efficiency and Super Fast Rectifiers Также в этом файле: SF12 Производитель: RFE International, Inc. //www.rfeinc.com SF12 datasheet 117.81Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

Синонимы от поставщиков: SF12 ; SF-12 ; SF 12 ; SF — 12 ; SF12 ; диод SF12 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC3281		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	TOSHIBA
		2SC3281		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	NIPPON
		2SC3281		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	TOS
		2SC3281		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)		3	264.60
		2SC3281		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	КИТАЙ
		2SC3281		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	ISCSEMI
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	CHINA
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	BOURNS
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	BARONS
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный		11	32.00
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	Bourns Inc
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	КИТАЙ
		AD8561ANZ		Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...	ANALOG DEVICES
		AD8561ANZ		Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...	ANALOG
		AD8561ANZ		Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...	Analog Devices Inc
		AD8561ANZ		Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...
		AD8561ANZ		Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...	AD1
		AD8561ANZ		Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	644
		AD8561ANZ		Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...	ADI	128	1 024.68
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2	44.10
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	10 577	21.85
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	919	10.38
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	12 364	8.29
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.38
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	VISHAY
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	ON SEMICONDUCTOR	266	79.38
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)		719	18.36
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	Fairchild Semiconductor
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	Vishay/Semiconductors
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	YJ	5 340	24.39
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	ONS
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	YANGJIE (YJ)
		MUR820		Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)	YANGZHOU YANGJIE	3 503	43.41

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"